트랜지스터 (BJT & FET)

BJT & FET

Transistor는 밸브역할을 하는 소자입니다.

BJT와 FET는 둘다Transistor이며 똑같은 역할을 합니다.

 

BJT(Bipolar Junction Transistor)는n형과p형2개의 반도체를 접합시켜 만든Transistor입니다.

FET(Field Effect Transistor)는 전계효과를 이용한Transistor 입니다.

BJT는 전류에 의해 제어되고 FET는 전압에 의해 제어됩니다.
BJT와 FET 단자의 역할은 똑같지만 부르는 이름은 다릅니다.
Base ->Gate
Collector -> Drain

Emitter -> Source
 

전자회로에서

전류는+극에서 –극으로 흐릅니다.

전자는 –극에서+극으로 이동합니다.

 

BJT의 경우 Base와Emitter의 전류에 의해 Emitter의 전자가Base로 이동하는데 상대적으로 높은 전압이 걸린Collector로 많은 전자가 이동합니다. 결국 Collector에서 Emitter 로 전류가 흐르게 됩니다.. 이것이 BJT 트랜지스터의 원리입니다.

FET는 Gate 전압에 의해 N과 P의 접합부에 공핍층이 발생하여 Channel의 폭이 넓어졌다 좁아졌다 하기 때문에 흐르는 전류가 제어 됩니다. 이것이 FET 트랜지스터의 원리입니다.

 

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MOSFET(Metal Oxide FET) 는FET의Gate 부분에 절연체를 추가한 것입니다. Insulated Gate FET(IGFET)라고도 합니다. 이것은Gate로 전류가 흐르는 것을 막고 Input Impedence를 높게 만드는 역할을 합니다.
 

MOSFET는 2가지Type이 있는데 공핍형과 증가형이 있습니다.

공핍형(Depletion Type)은 Default로 ON 으로 되어 있는 상태이며

증가형(Enhacement Type)은 Default로 OFF 로 되어 있는 상태입니다.

트랜지스터는 종류는 아래와 같습니다.

 

BJT와 FET의 차이는 아래 표와 같습니다.
통신기기에서는 RF 감도때문에 BJT 보다는 Noise를 덜 발생시키는 FET를 많이 사용합니다.